Met deze functie kunt u zoeken in niet leverbaare producten, hiermee kunt u oudere producten vinden en met nieuwe producten vergelijken als dat nodig is.
The TS512MLK72V3N is a 512M x 72bits DDR3-1333 ECC Unbuffered-DIMM. The TS512MLK72V3N consists of 18pcs 256Mx8bits DDR3 SDRAMs in FBGA packages and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. The TS512MLK72V3N is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. Data I/O transactions are possible on both edges of DQS. Range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
Kenmerken
Intern geheugen
De hoeveelheid werkgeheugen (RAM) die geïnstalleerd is in het systeem. Werkgeheugen is veel sneller dan gewoon permanent geheugen, zoals bijvoorbeeld een harde schijf en wordt door het apparaat gebruikt voor het tijdelijk opslaan van gegevens.
Geheugenlayout
Beschrijft hoe het geheugen op het moederbord is aangebracht
Intern geheugentype
Kloksnelheid geheugen
Geheugen form factor
De uiterlijke kenmerken van de geheugenmodule
ECC
ECC (Error Correction Code)-geheugen is geheugen dat in staat is om sommige geheugenproblemen op te lossen zonder gebruikersbemoeienis.
Ja
CAS-latentie
CAS (Column Address Strobe)-latentiy is de tijd (in clock cycles) die het duurt om de kolom, die gelezen moet worden, in de tabel met gegevens te vinden.
Geheugen voltage
Logistieke gegevens
Code geharmoniseerd systeem (HS)
Er zijn geen beoordelingen beschikbaar, geef als eerste een beoordeling van dit product.
Vanaf dit punt worden cookies van derde partijen gebruikt,
deze zouden door de verschillende partijen kunnen gebruikt worden als tracking cookie.